Ulempen ved CZ krystaldyrkningen er, at diglen opløses i opvarmningsprocessen, og siliciumkrystallen dermed tilføres forurening fra diglen. Ud over at frembringe et siliciumprodukt af lavere kvalitet er CZ processen både mere energikrævende og væsentligt langsommere end FZ teknologien.
Et fordyrende element er udgiften til diglen, der skal fornys ved hver krystaldyrkning. Til trods herfor er spotprisen for CZ skiver lavere end FZ skiver på grund af den store produktionsvolumen til bl.a. mikrochips.
En speciel variant af CZ silicium er CZ-EPI, som er en teknologi, hvor man deponerer et krystallinsk lag af silicium oven på en poleret CZ skive, og dermed kan forbedre skivens strømførende egenskaber.
CZ-EPI’s produktegenskaber matcher på flere områder det FZ baserede FZ-PFZ produkt, og kan dermed både anvendes til lavspændingsmarkedet, men også til mellemspændingsmarkedet.
