De nødvendige procestrin til fremstilling af FZ silicium indebærer først en klargøring af polysiliciumstangen og efterfølgende overfladerens, som sikrer, at transportsnavs og anden forurening er fjernet.
Polysiliciumstangen monteres herefter i en FZ procesmaskine sammen med en podekrystal. FZ procesmaskinen er et lukket kammer med mekanisk bevægelse af polysiliciumstangen og af podekrystallen.
FZ processen gennemføres ved at smelte polysilicium med induktionsopvarmning. Når siliciummet er smeltet, føres podekrystallen ind i smelten, og ved at regulere varmeforholdene dyrkes krystallen. Procestiden for dyrkning af en krystal er 10- 12 timer. Efter dyrkning afkøles krystallen, der nu er en énkrystalsiliciumstang, og der udtages prøver til måling af kvaliteten.
En vigtig del af fremstillingen af FZ silicium er kontrol med énkrystallens elektriske ledningsevne. Ledningsevnen kontrolleres ved at blande fosfor i krystallen, enten ved at tilføre fosfor direkte i FZ processen under krystaldyrkningen, hvilket giver FZPFZ produkter, eller gennem neutronbestråling af krystallen i en atomreaktor, som er dyrere, men giver en mere præcis dotering. Produkter af sidstnævnte type hedder FZ-NTD.
Bestrålingsteknikken opfandt Topsil sammen med forskningscenter Risø i 1976, og neutronbestrålingen udføres i dag på baggrund af langtidskontrakter med ca. 10 eksterne partnere. Udvikling af nye elektriske egenskaber i FZ skiver samt forskning i udvikling af nye processer og produkter baseret på FZ teknologien er en vigtig del af at afdække fremtidens komponentbehov. Denne forskning gennemfører Topsil i Frederikssund med hjælp fra videnscentre og universiteter overalt i verden.
